TSV・溝道高速深度量測

對2.5D、3D層疊構造不可或缺的TSV、功率半導體的溝槽深度等進行非破壞、高速量測。

特徴

• • 可進行1點約1秒的高速量測
  • 深度量測可達到寬深比1:10~1:30（根據直徑變化）
  • Φ可從1μm量測（根據形狀）
  • 可以量測SIC/GaN透明產品

檢查對象、用途、選配

• 可以用同一量測模組量測溝槽深度和翹曲
• 也可以選配TSV直徑的量測
• 也可選擇手動裝置、FOUP對應裝置
• 用途：功率半導體溝槽、元件分離用溝槽、TSV

 

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